Silikonisierter Graphit Vs. Sic

Carbon Graphitmaterial hat Selbstglagen, hohe mechanische Festigkeit, geringe Reibungskoeffizient, Hochtemperaturresistenz, gute Anti-Wear, in Maschinen, chemischer Industrie, Erdöl, Instrumentierung, Pumpen und andere Felder weit verbreitet. Herkömmliche Graphitmaterialien sind in Bezug auf Verschleißfestigkeit und Korrosionswiderstand weniger als ideal, während simifiziertes Graphit als neuartiges technisches Material die Eigenschaften von Carbon Graphit- und Siliziumkarbid aufweist und in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet wird.

Was ist Graphit -Silizid?

Silikonisiertes Graphit ist ein Verbundmaterial, das aus einer Siliziumkarbidschicht besteht, die auf der Oberfläche von Graphitmaterial beschichtet ist. Siliziumkarbidschichtdicke von 1 ~ 1,5 mm, Siliziumkarbidschicht und Graphitmatrix eng kombiniert. Die Härte von Graphit -Silizium ist eigentlich die Härte von sic, die nur für Diamant, Bornitrid, Borkarbid und höher ist als die Härte von Wolframkarbid und Aluminiumtrioxid.

Graphit Silizid hat nicht nur die Selbsthungrikation von Kohlenstoffgraphitmaterialien, eine gute elektrische und thermische Leitfähigkeit, thermische Stoßdämpferwiderstand und -dichtung, sondern auch die Vorteile von hoher Festigkeit, Oxidationsbeständigkeit, chemischer Korrosionsbeständigkeit von Siliziumcarbid und ist besonders für geeignet für geeignet für Starke Lasten, hohe Temperaturen und andere anspruchsvolle Anlässe, sodass die Graphit -Siliziummaterialien immer häufiger auf dem Gebiet der Versiegelung, Reibung, chemischen Industrie, Metallurgie sowie Luft- und Raumfahrt- und Kernindustrie eingesetzt werden.

Herstellung von Graphit -Silizium

Es gibt drei Hauptproduktionsmethoden zur chemischen Dampfabscheidung (CVD), chemischer Dampfreaktion (CVR) und Flüssigsilicon -Permeation -Reaktionsmethode.

1. Chemische Dampfabscheidung (CVD)) Methode

Das Gas, das Silizium und Kohlenstoff durch das Hochtemperatur -Graphit -Substrat -Thermo -Zersetzung enthält, und sic erzeugt, die auf der Oberfläche des Graphit -Substrats abgelagert wurden. Rohstoffe für Trichlormethylsilan (CH3sic3), Siliziumtetrachlor, Wasserstoff, Siliziumdampf usw. Der Abscheidungstemperaturbereich ist breit von 1175 ℃ bis 1775 ℃. Die mit dieser Methode erzeugte sic -Schicht ist sehr dicht, gleichmäßige Dicke, die allgemeine Dicke von etwa 0,1 ~ 0,3 mm, aber die Kombination von sic- und graphit -substrat für die reine mechanische Bindung ist die Bindungskraft schwach, in der schnellen Änderung der Temperatur sic ist schwach Die Schicht ist anfällig für Risse und Schälen.

2. CVR -Methode (Chemische Dampfphasenreaktion)

Rohstoffe für Kokspulver und überschüssiges Quarzsand oder amorphes Kieselsäurepulver, wenn er auf 2000 ℃ erhitzt wird, wenn die chemische Reaktion auftritt, die Erzeugung von SiO -Dampf-, SiO -Dampf- und Kohlenstoffsubstratreaktion zur Erzeugung von SIC. SIC -Schicht und Kohlenstoffsubstrat Zwei haben keine offensichtliche Grenzfläche, die Bindung ist sehr stark, bei plötzlichen Temperaturänderungen und hoher Belastung wird nicht ausgelöst, aber die CVR so behalten Sie immer noch die poröse Natur des Kohlenstoffsubstrats. Die CVR -Methode ist jedoch die Reaktion der SIO -Gasinfiltration in die Kohlenstoffmatrix. Daher behält es immer noch die poröse Natur der Kohlenstoffmatrix bei, wenn es als Versiegelungsmaterial verwendet wird, es erforderlich ist, Harzimprägnierung oder CVD -Methode zu verwenden, um die Poren zu füllen .

3. Flüssige Siliziumpermeation

Diese Methode gehört auch zu einer Art CVR. Unter Vakuumbedingungen, die auf 1700-1900 ℃ erhitzt wurden, tauchte das Kohlenstoffsubstrat direkt in geschmolzene Siliziumflüssigkeit ein, flüssiges Silizium allmählich in das Kohlenstoffsubstrat, die Reaktion, um sic zu erzeugen. 99,9999% des Rohstoffs für das reine Silizium. SiC -Schichtdicke von bis zu 3,5 mm. Nach der Reaktion enthält das Kohlenstoffsubstrat etwa 17% des freien Siliziums, um die Basis der Poren zu füllen, so dass das Substrat dicht und undurchlässig geworden ist. Das Vorhandensein von freiem Silizium reduziert jedoch die Korrosionsbeständigkeit und die Hochtemperaturoxidationsresistenz von simifiziertem Graphit.

Unterschied zwischen silikonisiertem Graphit und sic

1.Siliconisierte Graphit (silikonisiertes Graphit) ist ein Verbundmaterial, das aus einer Siliziumkarbidschicht besteht, die auf der Oberfläche von Graphitmaterial beschichtet ist. Silikonisierte Graphithärte ist sic Härte, nur für Diamant, Bornitrid, Borkarbid und Wolfram -Carbid, Aluminiumoxid und andere hohe Härte. Graphit -Silizid kann als Phosphorsäure-, Phosphor -Amin- und Hydrofluorsäure -Pumpenlager verwendet werden. Darüber hinaus ist die Halbleiterindustrie als Silizium -epitaxiales Wachstum des Wärmeblas -Substrats und -Tekorps und die Herstellung von künstlichen Gelenken, künstlichen Herzklappen, künstlichen Zahnwurzeln.

2. Silicon Carbid (SIC) besteht aus Quarzsand, Erdölkoks (oder Kohlekoks), Holzspänen (die Produktion von grünem Siliziumkarbid muss Salz hinzufügen) und andere Rohstoffe durch den Hochtemperatur -Schmelzfestofen. Siliziumkarbid existiert auch in der Natur als seltenes Mineral, Moissanit. Siliziumkarbid ist auch als Carbon -Siliciumdioxid bekannt. In zeitgenössischen C-, N-, B- und anderen nicht-oxid-High-Tech-feuerfesten Rohstoffen kann ein Siliziumkarbid für die am weitesten verbreitete, die wirtschaftlichste als Goldstahlsand oder refraktäres Sand bezeichnet werden. Gegenwärtig ist Chinas industrielle Produktion von Siliziumcarbid in schwarzes Siliziumkarbid und grünes Siliziumkarbid zwei Arten unterteilt, sind hexagonale Kristalle, spezifisches Gewicht von 3, 20 ~ 3, 25, Mikrohardness von 2840 ~ 3320 kg/mm2

Was ist Graphit Silicide und in welchen Branchen wird es verwendet?

Silikonisiertes Graphit ist ein Verbundmaterial, das aus einer Siliziumkarbidschicht besteht, die auf der Oberfläche von Graphitmaterial beschichtet ist. Die Härte von Graphit -Silizium ist die Härte von sic, die nur für Diamant, Bornitrid, Borkarbid und höher als Tungstenkarbid und Aluminiumtrioxid liegt. Graphit -Silizid kann als Phosphorsäure-, Phosphorsäure- und Hydrofluorsäur -Pumpenlager verwendet werden. Darüber hinaus ist die Halbleiterindustrie als Silizium -epitaxiales Wachstum des Wärmeblas -Substrats und -Tekorps und die Herstellung von künstlichen Gelenken, künstlichen Herzklappen, künstlichen Zahnwurzeln. Siliziumkarbid besteht aus Quarzsand, Erdölkoks (oder Kohlekoks), Holzchips (Salz wird zugesetzt, um grünes Siliziumkarbid zu produzieren) und andere Rohstoffe durch Hochtemperaturschmieren in einem Widerstandsofen. Siliziumkarbid existiert auch in der Natur als seltener Mineral, Moissanit. Siliziumkarbid ist auch als Carbon -Siliciumdioxid bekannt. In zeitgenössischen C-, N-, B- und anderen nicht-oxid-High-Tech-feuerfesten Rohstoffen kann ein Siliziumkarbid für die am weitesten verbreitete, die wirtschaftlichste als Goldstahlsand oder refraktäres Sand bezeichnet werden. Gegenwärtig ist die industrielle Produktion von Siliziumcarbid Chinas in zwei Arten von schwarzem Siliziumkarbid und grünem Siliziumcarbid unterteilt, sind hexagonale Kristalle, spezifisches Gewicht von 3, 20 ~ 3, 25, Mikrohardness von 2840 ~ 3320 kg/mm2.

Graphit-Silizid als eine Art von Siliziumcarbid verstärktes Graphit-Verbundmaterial, weist nicht nur die hohe Härte, einen hohen Verschleiß und hohe Temperaturoxidationswiderstand von Siliziumkarbid auf, sondern hat auch die guten selbstlubrizierenden Eigenschaften von Graphit, thermische Leitfähigkeit und niedriger Koeffizient von Wärmeausdehnung, die auf mechanische Dichtungen und andere hochpräzise Teile angewendet werden kann.

Die Versiegelungsendfläche der mechanischen Dichtung besteht aus dem auf der Schacht installierten rotierenden dynamischen Ring und dem auf dem Sitz befestigten statischen Ring, wodurch das Material einen guten Verschleißwiderstand, einen geringen Reibungskoeffizienten, Korrosionsbeständigkeit, hohe thermische Leitfähigkeit, Leitfähigkeit, hohe thermische Leitfähigkeit, Nutzungskoeffizient, einen geringen Koeffizienten an Reibung, eine hohe Leitfähigkeit, eine hohe thermische Leitfähigkeit, einen geringen Koeffizienten des Verhaltens, die leichte Wärmeleitfähigkeit, eingesetzt wird. und starke seismische Leistung und der Silizidgrafit können diese Anforderungen genau erfüllen. Es wird gemessen, wenn der PV-Wert (Dichtungsdruck und Geschwindigkeit des Produkts) bis zu 147 mPA-M/s, Carbidstahlring, der thermische Spannungsrisse erzeugt, und Graphit-Silizium-Selfpaarverdichtungsring und sein PV-Wert bis zu 687 mPa- erzeugt m/s ohne Schaden. Darüber hinaus kann auch für Abschirmpumpen und Hochleistungs-Dieselmotorwasserdichtungen und andere Dichtungen verwendet werden. Graphit -Silizid kann als Phosphorsäure-, Phosphorsäure- und Hydrofluorsäur -Pumpenlager verwendet werden. Darüber hinaus ist die Halbleiterindustrie als Silizium -epitaxiales Wachstum des Heizplattensubstrats und -gerichts und die Herstellung von künstlichen Gelenken, künstlichen Herzklappen, künstlichen Zahnwurzeln usw.

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